中國生產(chǎn)制造的鐵碳微電解填料因?yàn)闆]有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,各種各樣的類型十分的多,盡管都叫鐵碳微電解填料,但從應(yīng)用實(shí)際效果來講,卻擁有很大區(qū)別,這類現(xiàn)況給使用人產(chǎn)生了好大的疑惑,特別是在是第一次使用人,欠缺判斷力,今日小并成大伙兒小結(jié)了下列幾大購買錯(cuò)誤觀念:
錯(cuò)誤觀念一:微電解填料抗壓強(qiáng)度越高越高
有顧客撥電話資詢拓步環(huán)境保護(hù)時(shí),說抗壓強(qiáng)度越高,越不易造成阻塞問題,拓步環(huán)保技術(shù)技術(shù)工程師告訴他大伙兒:過高的抗壓強(qiáng)度,會(huì)促使填充料表層的碳層不易脫離表層,在微鈦電極反映中,填充料表層的鐵耗費(fèi)完以后,剩下的碳層無法脫離出來,會(huì)促使微鈦電極反映造成的具備較強(qiáng)粘結(jié)力的鐵的氧化物和碳層重重的包囊填充料表層,簡(jiǎn)易的反清洗方法無法確保保持商品表層的及時(shí)升級(jí),造成反映實(shí)際效果不斷降低。
錯(cuò)誤觀念二:鐵含水量越高越高
從基本原理上而言,鐵做為耗費(fèi)物,隨之時(shí)間的變化,鐵碳填料層中的單質(zhì)鐵越來越低,因而許多認(rèn)為,鐵含水量越高,商品的使用期越長。歷經(jīng)拓步環(huán)保技術(shù)技術(shù)工程師數(shù)次實(shí)驗(yàn)對(duì)比論證:我覺得鐵含水量太高,容易造成鈍化處理問題的造成,即碳顆粒物過少,鐵在電位差偏差的危害下,造成的負(fù)電核向碳的表層轉(zhuǎn)移,因?yàn)榻邮茈娮悠骷呢?fù)級(jí)過少,造成鐵的表層被很多的負(fù)電包囊,產(chǎn)生高密度的人眼看不到的電子器件云團(tuán)“原膜”,阻攔反映的產(chǎn)生,最后反映實(shí)際效果不佳。
錯(cuò)誤觀念三:微電解填料氣孔率越大越高
有的顧客追求完美氣孔率,覺得氣孔率越大,水的摩擦阻力越小,填充料層間隙截流的水越大,填充料的使用量也越低。我覺得多相反應(yīng)的產(chǎn)生,全是在表層開展,到頭來氣孔率越大的填充料,顆粒物粒度也越大,比表面也越多小,其失效的室內(nèi)空間越大,盡管能夠滯留大量的水之中,但每1個(gè)氧分子流過的填充料總面積越小,其反映實(shí)際效果反倒不太好。
錯(cuò)誤觀念四:消耗率越低好
消耗率是個(gè)百分?jǐn)?shù),是1個(gè)時(shí)間范圍內(nèi)耗費(fèi)的鐵碳微電解填料的總數(shù)與初次總投加量的比率。在水處理工程中,運(yùn)作花費(fèi)是個(gè)極端重要的參照要素,因而許多人將鐵碳微電解填料的消耗率做為點(diǎn)評(píng)商品的關(guān)鍵指標(biāo)值,這自身無可非議。但大家忽視了1個(gè)關(guān)鍵要素,即能量守恒和原材料均衡,舉例說明:破譯1個(gè)長鏈或環(huán)形的有機(jī)化合物分子結(jié)構(gòu),產(chǎn)生反映需要的焓是特殊的,也即對(duì)外部的動(dòng)能要求是必須的,除此之外,需要參加反映的微鈦電極總數(shù)都是相同的。因而,當(dāng)有生產(chǎn)廠家說他的微電解填料年消耗率能操縱在12%,或是16%之內(nèi),全是在坑騙顧客,拓步環(huán)保技術(shù)告訴你:消耗率是個(gè)百分?jǐn)?shù),與第一次投加量有立即關(guān)聯(lián),例如,第一次加藥150噸和150噸,前者年消耗率必須小于兩者。另一個(gè),危害消耗率尺寸的要素有許多:pH、源水濃度值、等待時(shí)間、曝氣池抗壓強(qiáng)度以至于溫度全是危害要素。因而,簡(jiǎn)易的追求完美消耗率是沒有實(shí)際意義的。
錯(cuò)誤觀念五:微電解填料小試結(jié)果越高,商品特性越高
很多人到接到好幾家生產(chǎn)廠家的試品后,做過可比性實(shí)驗(yàn),實(shí)驗(yàn)結(jié)果有優(yōu)有劣,因而在考慮到購買商品的那時(shí)候,單純性自小試結(jié)果來考慮到商品特性的好壞。我覺得小試結(jié)果僅僅1個(gè)層面,商品的長期性平穩(wěn)實(shí)效性算是最關(guān)鍵的考慮到要素,銷售市場(chǎng)上不過關(guān)鐵碳微電解填料,應(yīng)用限期多見3-6六個(gè)月,至少多見鈍化處理要素導(dǎo)致,要促使商品再次起效,迫不得已歷經(jīng)酸洗鈍化活性,小水流量還行一點(diǎn)兒,大水流量而言就十分不便,以至于欠缺可操作性。
選購微電解填料的幾個(gè)錯(cuò)誤觀念
時(shí)間:2019-07-03
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